在半導體存儲器的典型應用中，eMMC/UFS主要應用于移動(dòng)智能終端，要求適當的容量、適當的性能，對功耗 、體積極其敏感；SSD主要應用于PC/服務(wù)器，要求超大容量（百GB~TB級別），極高的并行性以提高性能，且兼容已有接口技術(shù)（SATA，PCI等）。PCIe BGA SSD的出現打破了這兩類(lèi)產(chǎn)品之間的界限，其尺寸與eMMC/UFS相當，又兼具PCIe的高性能與跨平臺等優(yōu)勢。佰維存儲將于近期正式推出PCIe 4.0 BGA SSD EP400系列，助力客戶(hù)旗艦智能終端應用引領(lǐng)新趨勢。

EP400系列PCIe 4.0 BGA SSD搭配PCIe Gen4x2接口，NVMe 1.4協(xié)議，單顆最大容量為1TB，而尺寸僅為11.5x13（mm），最大順序讀寫(xiě)速度分別達到3500MB/s、3300MB/s。

EP400關(guān)鍵特性：

• 支持PCIe Gen4x2，NVMe 1.4接口協(xié)議標準；
• 以Type 1113的最小封裝（11.5x13mm）實(shí)現256GB~1TB存儲容量；
• 支持低功耗管理（L1.2）；
• 在DRAM-Less架構下采用HMB(Host Memory Buffer)技術(shù)提升讀寫(xiě)性能表現；
• 支持4KB LDPC糾錯技術(shù)，全面提升NAND顆粒使用壽命；
• 支持全區均勻磨損技術(shù)，能全面有效地提升固態(tài)硬盤(pán)使用壽命；
• 產(chǎn)品關(guān)鍵的設計封裝及固件開(kāi)發(fā)均自研可控，可靈活適配各類(lèi)個(gè)性化需求。

佰維部分PCIe BGA SSD、UFS、eMMC產(chǎn)品規格參數對照表

根據佰維實(shí)驗室數據，佰維EP400在與eMMC/UFS同尺寸的前提下，讀寫(xiě)速度均是PCIe 3.0 BGA SSD E009系列的兩倍，且遠高于UFS 3.0/3.1產(chǎn)品，在旗艦型移動(dòng)智能終端應用上綜合優(yōu)勢明顯，是二合一筆記本電腦、旗艦智能手機、自動(dòng)駕駛、無(wú)人機等應用的絕佳存儲選擇。

佰維立足“端”應用存儲需求，在存儲介質(zhì)特性研究、核心固件算法、存儲器設計與仿真、存儲芯片封裝工藝、自研存儲芯片測試設備與算法等核心技術(shù)的支持下，打造了豐富的BGA SSD產(chǎn)品體系。比如公司推出的E009系列，順利通過(guò)Google Chromebook認證，并榮獲"2021中國IC設計成就獎年度最佳存儲器”大獎。

在應用領(lǐng)域，自Intel 11代酷睿桌面級處理器發(fā)布以后，Intel和AMD全都支持原生PCIe 4.0技術(shù)。佰維EP400系列PCIe 4.0 BGA SSD產(chǎn)品將加快PCIe 4.0技術(shù)向更廣的應用領(lǐng)域拓展，比如，基于生產(chǎn)力工具的二合一筆記本電腦，追求極致性能的高端智能手機，數據需求不斷增長(cháng)的汽車(chē)電子領(lǐng)域等等，有望為智能終端帶來(lái)一波存儲性能的升級浪潮。

推薦產(chǎn)品

BIWIN BGA SSD

NR400

BIWIN NI201

BIWIN G6327

BIWIN N2202

BIWIN NS200

BIWIN C6370

BIWIN CK001

BIWIN CP002

BIWIN V200 DDR4 U-DIMM

BIWIN V100 DDR4 U-DIMM

BIWIN AS402

BIWIN AS422

BIWIN AP353

BIWIN AP413

BIWIN AP424

BIWIN AP425

BIWIN AP443

BIWIN AP453

BIWIN BP513

V300 DDR5 UDIMM

BIWIN AP860

BIWIN RD100

S300