制程能力

可加工晶圓類(lèi)型：8寸Wafer、12寸Wafer、Low-K Wafer

晶圓研磨最薄厚度：25μm（SDBG工藝）

晶圓切割最小切割道寬度：20μm（隱形切割）

可貼合最小芯片尺寸：0.3*0.3mm

固晶方式：點(diǎn)膠、畫(huà)膠、DAF

引線(xiàn)鍵合最小線(xiàn)徑：金線(xiàn)-15μm、合金線(xiàn)-15μm

引線(xiàn)鍵合最低線(xiàn)弧高度：30μm

引線(xiàn)鍵合最小BPO、BPP：40μm、45μm

模封芯片表面至塑封料頂部最小距離：30μm

封裝產(chǎn)品最薄厚度：0.33mm

SMT可加工最小元器件尺寸：01005

BGA封裝植球最小球徑和球間距：0.25mm&0.4mm

技術(shù)優(yōu)勢